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自从Github被微软收购,除了Copilot这个AI代码写作助手,大家开源贡献的代码都被拿来用了之后,就不想在Github上贡献代码了。

转而使用Gitee,感觉也挺好。

生成并绑定公钥

使用terminal生成公钥:

1
ssh-keygen

遇到选择就按回车,不用管就好。然后使用以下命令进行查看:

1
cat ~/.ssh/id_rsa.pub

公钥样例(千万不要复制下面的模板)如下:

1
ssh-rsa BBBBA3NzaC1yc2EBBBBDAQBABBBABQCoLmvwKsFETfy0Lj8VN0QwDj/fu2J1msoM+kWCLTj64zXXXXXXXXXSKQxj30zjVO4tZ9PsO/jaItdev1uV7a9lk9MiemLLAxc1LSYsBdki81tx+7941rl9y/XXXXXXXXXXDjNpPCMq6xH8ZSRoRLcgCz+gRaDfnQALWBcavEO0uVqYGn4I4KRFPup7gm+3j5gRpdm1uKtkrqHxqykErCwXXXXXXXXXX6+okRt/TN5jjq6zV44D6tRYAK6oCOFpwO/RTqTIUU//w/XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXdPCqs8Zax9cH/31FJqltQzsRbGDLTFFXqyICK7QKVgFXGhrzM3AVvD xxxx@xxxx.local

绑定到Gitee配置

这里就不延时注册Gitee账户了。

在Gitee头像下点击 设置 ,然后在左侧选择 SSH公钥,将生成的公钥粘贴进去,标题会自动识别和生成,使用默认标题即可,最后点击 确定 进行保存。

image-20210902220637986

在Gitee上生成项目

在gitee页面右上角选择那个 + 号,选择里面的 新建仓库

image-20210902222312335

跳转到 新建仓库 仓库页面,填写相关信息即可。

image-20210902222413221

然后在仓库页面的 克隆/下载 处选择 HTTPS 源 并 复制

image-20210902222531450

绑定VSCode

在本地新建文件夹,命名和存储路径随意。

image-20210902222116108

然后使用VSCode打开该文件夹,如下:

image-20210902222631177

点选左侧树杈型图标,选择 初始化存储库

image-20210902222655162

在上方 ... 处选择 远程添加远程仓库

image-20210902223026835

粘贴刚刚复制过来的仓库地址。

image-20210902223107646

填写远程存储库名称,就是仓库名称。

image-20210902223222009

VSCode右下角会出现如下提示,选择

image-20210902223253826

正常来说点选 拉取 也是直接可以拉取到远程数据的,但是也可能因为配置错误导致拉取失败,出现如下提示。

image-20210902223319460
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配置本地git参数

如果拉取不成功,仍需要配置以下信息:

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2
git config --global user.name "xxxx"
git config --global user.email xxxx@xxx.com

其中xxxx需要替换成个人在gitee网站的用户名和对应的邮箱,如下:

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拉取仓库文件

如果仍然无法拉取仓库文件,可以在VSCode下按 CTRL + JCOMMAND + J 来打开,然后输入如下命令进行 拉取,命令中对应的源需要替换。

1
git pull https://gitee.com/xxxx/xxxx.git master

拉取完后如下所示:

image-20210902225228260
image-20210902225338842

可靠性概论

只有在图纸设计阶段就考虑到使用场景时遇到的问题,再按图生产,才能制造出合格的产品。

  • 1950年12月7日,美国电子设备可靠性专门委员会成立。
  • 1952年8月21日,电子设备可靠性咨询组(AGREE)成立。
  • 1953年,美国兰德公司给出衡量武器系统优劣的七项参数:性能、可靠性、精度、易损性、可操作性、维修性和可用性。
  • 1957年6月,AGREE发表《军用电子设备可靠性》研究报告。

可靠性工程这门学科被认为是自1957年问世的。

1957年6月,AGREE发表的《军用电子设备可靠性》研究报告中,提出一套可靠性设计、试验及管理方法,形成了一套完善的可靠性设计、试验和管理标准。并在新一代产品的研制中,逐渐制定了较为完善的可靠性大纲,规定了定量的可靠性要求,进行了可靠性分配及预计、故障模式及影响分析(FMEA)和故障树分析(FTA),采用了冗余设计,开展了可靠性鉴定试验、验收试验和老炼试验,进行了可靠性评审等。

  • 1970年代,可靠性发展步入成熟阶段。
  • 1980年,美国国防部颁布《(D0DD 5000.40)可靠性及维修性》。
  • 1985年,美国空军推行“可靠性及维修性2000年行动计划”(R&M2000),提出了“可靠性翻一番,维修性减半”的目标。

可靠性定义

可靠性 是指产品在 规定条件下规定时间内完成规定功能 的能力。

维修性 是指产品在 规定条件下规定时间内,按规定的程序和方法维修时,保持或恢复到规定功能 的能力。

三个时间点

如果将产品比作人,那么产品从被研发、生产、出厂、使用到寿命终结的阶段,就好比人受精、怀胎、分娩、成长到死亡的阶段。将整个过程看做一个时间轴 $ t $ , 那么其中的产品出厂(人的分娩)的时间就为 $ t=0 $,产品被研发和生产(人的受精、怀胎)的阶段,其时间被视为 \(t<0\)​, 产品被使用到寿命终结(人的成长到死亡)的阶段,其时间被视为 \(t>0\)​ 。这种方法是将产品简单划为三个时间点,例如在 \(t<0\)​ 时,研发和预制是两个不同的工作内容或阶段。

三个阶段

实际上,\(t=0\)​ 仅仅是个时间点,在可靠性研究过程中,产品寿命周期通常是按以下三个阶段进行研究:研发阶段\(t<0\)​)、生产制造阶段\(t<0\)​)和 使用至报废阶段\(t>0\)​)。

图1-1 质量与可靠性关系示意图
表 质量、可靠性与时间三者的关系
质量的度量
t = 0
出厂时间
使用产品合格率进行度量
t < 0
研制阶段
提高 制造过程 中的一致性和稳定性,以降低不合格率
t > 0
使用阶段

可靠性数学基础

所有可观测的现象包括 自然现象社会现象,按照结果的确定性对此类现象进行分类可以分为:确定现象不确定现象

graph LR
现象 --结果确定--> 确定现象
现象 --结果不确定--> 不确定现象 --具有统计规律--> 随机现象
不确定现象 --不具有统计规律--> 未知

随机

概念 定义 特点
随机现象 具有统计规律性的 不确定现象 - 描述 过程/现象可能性
随机事件 随机现象的某种 可能结果 - 描述 结果可能性
- 具有不可确定性,即事件真正发生之前不能确定其是否出现。
随机试验 研究随机现象中各种 可能发生的结果的过程 - 描述 研究结果可能性的过程
- 试验全部可能结果的集合可确定
- 试验条件不变的情况下,试验可以无限重复
- 试验的结果以随机的形式发生(实验条件相同,结果可能不同)

随机现象之所以称之为随机现象,是因为现象发生后具有1个以上的可能结果,如果仅有1种结果,则可以称之现象和事件为 确定现象确定事件

例如:

小球会落入某个洞口,小球的总数为2,小球落入洞口的现象是可观察可统计的,但小球确实地落在哪个洞口中具有不确定性,称之为现象。

但小球落入到洞口A或者洞口B,是可以预测到的结果,落入洞口A则称之为事件A,落入洞口B则称之为事件B,总称之为事件。

频率/概率

每一种随机现象的试验结果用 事件 一词来描述,则随机事件有可能在一次试验中可能发生,也可能不发生,其事件的发生可能性使用 频率概率 来度量。

在相同试验条件下,进行 \(n\) 次试验,事件A的出现次数 \(m\) 称之为 频数 ,使用 试验总次数 \(n\)事件A的频数 \(m\)​ 来表示 事件A在所有试验下的 频率 \(P^*(A)\)\[ P^*(A)={m\over n} \tag{频率公式} \]

频率频数频次 等术语在描述或者度量事件发生的可能性大小时,会因试验总次数太低 或 某个随机事件出现的次数具有波动性而导致不合理,就连以上三个词汇本身在描述时含有一定的随机性。

但在 大量重复 某一试验时,频率趋于稳定,此时该稳定值可以称之为随机事件的 概率统计概率,使用 \(P(A)\) 表示。

即,概率频率 两个词汇在描述随机试验中的事件时,最大的区别在于该事件频率值是否趋于 稳定,或者试验本身的总次数是否已经 足够大

频率 概率
数学符号 \(P^*(A)\) \(P(A)\)
特点 - 试验值,具有波动性
- 近似反映 事件发生的可能性大小
- 理论值,由事件的本质属性决定
- 精确反映 事件的可能性大小

概率分布

常用的分布函数由:两点分布、二项分布泊松分布、均匀分布、正态分布对数正态分布指数分布威布尔分布 等。

随机变量按照试验结果的值是否有限或连续可以分为:离散型随机变量连续型随机变量,其中离散型随机变量在可靠性工程中常见的统计分布类型有 二项分布泊松分布;连续型随机变量在可靠性工程中常见的统计分布类型有: 指数分布正态分布对数正态分布威布尔分布

graph LR
id1[随机变量] --试验结果的值有限--> id2[离散型随机变量]
id1 --试验结果的值连续--> id3[连续型随机变量]
id2 --> 二项分布
id2 --> 泊松分布
id3 --> 正态分布
id3 --> 对数正态分布
id3 --> 指数分布
id3 --> 威布尔分布γ=0
离散型随机变量 连续型随机变量
可能取值范围 可能取值有限 给定区间(或无限区间)内可取得任意数值
可能取值符号 \(x_1, x_2,x_3...x_n\) [0,∞)
概率函数/分布律
某点的概率
\(P(X=x_i)=p_i,(i=1,2,3 ... n)\) /
概率密度函数
概率在点的变化率
/ \(f(x)=F'(x)={dF(x)\over dx}\)
概率分布函数/累积概率函数
区间内的概率之和
\(F(x)=P(X≤x)=\sum_{x_k≤x}p_k\)​​​ \(F(x)=P(X≤x)\)
性质 - 任意取值变量的概率都在 [0,1) 之间:\(0≤P(X=x_i)=p_i<1\)​​
- 所有事件概率总和为 1\(\sum^n_{i=1}p_i=1\)

概率密度函数概率分布 反映了随机变量的统计规律。概率密度函数值反映了概率在该点的变化率,而非该点的概率。

以下需要区分几个概念,什么是 故障概率函数故障率函数故障概率密度函数故障密度函数可靠度函数

故障概率函数,也称为 故障率函数,即 失败概率函数,用事件的失败概率进行求解。

故障概率密度函数,即适用于 连续型随机变量的故障概率函数。

在连续型统计分布中,故障密度函数 = 可靠度函数 * 故障率函数

离散型随机变量分布

(故障)概率函数 (故障)(累积)概率分布函数 均值 \(\mu\) 方差 \(\sigma^2\)
二项分布 \(P(x)=C^x_np^xq^{n-x}\)​​
\(C^x_n = {n!\over x!(n-x)!}\)
\(F(x)=\sum ^r_{x=0} C^x_n p^x q^{n-x}\)
\(C^x_n = {n!\over x!(n-x)!}\)
\(np\) \(npq\)
泊松分布 \(P(x)={(np)^x \over x!}e^{-np}\) \(F(x) = \sum ^r_{x=0} {(np)^x \over x!}e^{-np}\) \(\lambda\)
\(\lambda = np\)
\(\lambda\)
  • \(n\)​ 为 样本量,即抽取样本总数
  • \(x\)\(r\) ​均为失败数,即抽取样本总数下失败的数量
  • \(p\) 为 失败概率
  • \(q\) 为 成功概率

需要注意\(C^x_n = {n!\over x!(n-x)!}\)​​​ ,是为 总试验次数的累乘(阶乘)与 (成功次数的累乘失败次数的累乘 之积) 的商。

二项分布

贝努力试验:随机变量的基本结果只有两种(成功/失败)的试验。

N重贝努力试验:随机现象是由N次相同的贝努力试验组成,每次试验结果 只有两种互不影响

例题 2-1

某新产品在规定的生产条件下废品率为 0.2 ,从批量较大的产品中随机抽取出 20 个,有 \(r\)\(r=0,1,2...,10\))个废品的概率是多少?

:已知某新产品的的废品与否,可以分为两种独立事件:成功失败(废品)。且单个产品是否成功或失败不影响下一个产品,即符合N重贝努力试验的要求。使用二项分布概率公式 \(P(x)=C^x_np^xq^{n-x}\)​ 代入,随机抽取的20个产品即为 \(n\)\(p\) 为失败的概率,即题目中的 0.220%\(x\) 则为抽取总数 20 下的失败产品数量,代入可得: \[ P(X=r)=C^r_{20}0.2^r(1-0.2)^{20-r},r=0,1,2,3...10 \tag{例2-1} \]

泊松分布

二项分布和泊松分布是不一样的。虽然都是离散型随机变量的分布类型,但是 二项分布适用于抽样总数小于 20 且 失败概率大于 0.05 的情况,当抽样数无限大时,使用二项分布公式进行求解计算不了,代码中会出现 -nan 关键字,此时泊松分布可以轻松计算,因此,泊松分布被认为是二项分布在大抽样数下的扩展

反之,如果将适用于二项分布的数据代入泊松分布公式,虽然能够计算,但是可能会获得异常数据。

即,虽然人为泊松分布是二项分布的在大抽样数下的扩展,但是毕竟公式和理念都不一样,不能够用来互相验证。

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例题 2-2

控制台指示灯平均失效率为每小时 0.001 次。如果指示灯的失效数不能超过 2 个,该控制台指示灯工作 500 小时的可靠度是多少?

:结合上方题目和泊松分布的概率公式 \(P(x)={(np)^x \over x!}e^{-np}\) 可知,每小时平均失效率即为 失败概率 \(p\) ,工作时长500个小时即为抽样总数 \(n\) ,而失效灯数不能超过 2 个即为失败数 x ,代入公式可得: \[ P(x) = {(500·0.001)^x \over x!} ·e^{-500*0.001} = {0.5^x \over x!} ·e^{-0.5} \tag{例2-2 概率函数} \] 然后求的其 \(P(0) + P(1) +P(2)\) 之和: \[ F(2) = \sum^2_{0}P(x) = {0.5^0 \over 0!} ·e^{-0.5} + {0.5^1 \over 1!} ·e^{-0.5} +{0.5^2 \over 2!} ·e^{-0.5} = 1.625*0.606530 = 0.9856 \tag{例2-2 累积概率分布函数} \]

连续型随机变量分布

分布形式 故障密度函数 \(f(x)\) 可靠度函数 \(R(x)\) 故障率函数 \(\lambda(x)\)​​
正态分布 \(\frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}}\)​​ \(\frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}\int_x^\infin e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}} dt\) \(e^{-(x-\mu)^2/(2\sigma)^2} / \int ^\infin _x e^{-(x-\mu)^2/(2\sigma)^2} dt\)
对数正态分布 \(\frac{1}{x\sigma\sqrt{2\pi}}e^{-(lnx-\mu)^2/2\sigma^2}\) \(\frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}\int_x^\infin \frac{1}{t}e^{-(lnt-\mu)^2/2\sigma^2} dt\)​​ \(\frac{1}{x}e^{-(lnt-\mu)^2/(2\sigma)^2}/ \int_x^\infin \frac{1}{t}e^{-(lnt-\mu)^2/(2\sigma)^2} dt\)​​
指数分布 \(λe^{-λx}\) \(e^{-λx}\) \(λ\)
威布尔分布 $(){m-1}e{-(x/)^m} $​​ \(e^{-(x/\eta)^m}\) \(\frac{m}{\eta}(\frac{x}{\eta})^{m-1}\)

正态分布

在数学上,正态分布(Normal Distribution)利用 均值 \(\mu\)​ 和 方差 \(\sigma^2\)​ 记为 \(\Nu(\mu, \sigma^2)\)​​ 。

标准正态分布:正态分布曲线的 均值 为0,标准差 为1的正态分布,即 \(\mu = 0, \sigma = 1\)​。

一般正态分布:除标准正态分布以外的正态分布。任何正态分布都可以使用标准正态分布来计算。

一般正态分布

正态分布的密度函数 \(f(x)\) 为: \[ \varphi(x) = \frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}} \tag{正态密度函数} \] 正态分布的可靠度函数 \(R(x)\) 为: \[ R(x) = \frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}\int_x^\infin e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}} dt \tag{正态可靠度函数} \]

标准正态分布

标准正态分布以下简称标正,由于标正的均值为0,标准差为1,即 \(\mu = 0, \sigma = 1\) ,代入对应公式可得 标正密度函数 记为 \(\varphi(z)\)标正累积分布函数 记为 \(\Phi(z)\)​ ,分别如下: \[ \varphi(z) = \frac{1}{\sqrt{2\pi}} e^{-z^2/2} \tag{标正密度函数} \]

\[ \Phi(z) = \int^z_{-\infin} \varphi(z) \ dz = \frac{1}{\sqrt{2\pi}} \int^z_{-\infin} e^{-z^2/2} \ dz \tag{标正累积分布函数} \]

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图 标准正态分布密度函数曲线 及 累积曲线

正态分布的 可靠度函数 为: \[ R(t) = 1-\Phi(\frac{t-\mu}{\sigma}) \tag{正态可靠度函数} \]

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图 标准正态分布可靠度函数曲线

总结成下表:

密度函数 累积分布函数 可靠度函数
一般正态 \(\varphi(x) = \frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}}\) \(\Phi(x) = \frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}} \int^x_{-\infin} e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}} \ dx\)​​ \(R(x) = \frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}\int_x^\infin e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}}\)
标准正态 \(\varphi(z) = \frac{1}{\sqrt{2\pi}} e^{-z^2/2}\) \(\Phi(z) = \int^z_{-\infin} \varphi(z) \ dz = \frac{1}{\sqrt{2\pi}} \int^z_{-\infin} e^{-z^2/2} \ dz\) \(R(t) = 1-\Phi(\frac{t-\mu}{\sigma})\)

正态分布的重要参数有以下几个:

  1. 工作时长 \(x\)
  2. 均值 \(\mu\)
  3. 标准差 \(\sigma\)

需要注意的是

  • 一般正态密度函数 的符号记为 \(f(x)\)​ ,标准正态密度函数 的符号记为小写的希腊字母 \(\varphi(z)\)​。
  • 一般其他分布的 累积分布函数 为 大写的 \(F(x)\)
  • 标正累积分布函数 的符号记为大写的希腊字母 \(\Phi(z)\)​​​​ ,与 标正密度函数 的符号发音一致,标正累积分布函数的值计算较为麻烦,可以通过查表获得
  • 就标正比较特殊,需要全部用希腊字母
  • 因为 标正累积分布函数标正可靠度函数 的曲线互为水平翻转。

例题 2-3

假设发电机的寿命服从正态分布,其均值为300小时,标准差为40小时。试求当工作时间为250小时时,发电机的可靠度是多少?

:已知均值 \(u = 300\) ,标准差 \(\sigma = 40\) 且 工作时长为 250 小时,可代入正态可靠度函数进行求解,如下: \[ R(t) = 1- \Phi(\frac{t-\mu}{\sigma}) = 1-\Phi(\frac{250-300}{40}) = 1 - \Phi(-1.25) \tag{例2-3 正态分布可靠度函数} \] 其中,\(\Phi(-1.25)\)​​ 和 \(\Phi(1.25)\)​​ 互补(和为 1),可以通过查询标准正态累积分布表 或使用 自行编写的函数进行计算,可得 \(\Phi(1.25) = 0.89\)​​ ,则发电机的可靠度为: \[ R(250) = 1-(1-\Phi(1.25)) = 1 - (1-0.89) = 0.89 \tag{例2-3 可靠度计算} \]

正态分布的特性
  1. \(\Phi(x)\)\(\Phi(-x)\)互补关系,即 \(\Phi(x) + \Phi(-x) =1\)
  2. 标准正态分布 下,可靠度累积分布值 互补为1, \(R(t) = 1-\Phi(t)\)​,在 一般正态分布 下,需要注意加入 均值 \(\mu\)标准差\(\sigma\)​​ 。
正态分布的用途

在可靠性工程中,正态分布具有以下三种用途:

  1. 分析由于磨损发生故障的产品,如机械装置。
  2. 对制造的产品及其性能是否符合规范进行分析。
  3. 用于机械可靠性概率设计。

对数正态分布

对数正态分布(Logarithmic Normal Distribution) 是 正态分布随机变量的 自然对数 \(y = ln(x)\)​​​​ ,记为 \(LN(\mu, \sigma^2)\)​​​​​​。

特点:使用 对数正态分布 的对数变换 可以使得较大的数缩小为较小的数,且越大的数缩小的越明显。好处是使得较为分散的数据通过对数变换后,可以相对地集中起来,所以常把 跨几个数量级的数据用对数正态分布区拟合(如下方例题2-4)。

适用产品/场景半导体器件 的可靠性分析、机械零件 的疲劳寿命分析 或 在 维修性分析 中对维修时间数据的分析。

对数正态分布的密度函数如下,需要注意,该函数的取值范围为 \([0,\infin)\)\[ f(x)=\frac{1}{x\sigma\sqrt{2\pi}}e^{-(lnx-\mu)^2/2\sigma^2}\tag{对数正态分布密度函数} \]

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图 标准对数正态分布密度函数曲线 及 累积曲线

注意:应该是没有标准对数正态分布的吧,就代入 \(\mu = 0, \sigma = 1\)​ 进行计算求得图像

对数正态累积分布函数如下: \[ F(x) = \frac{1}{\sigma \sqrt{2\pi}} \int^x_0 \frac{1}{t} e^{-{(lnt-\mu)^2}/{2\sigma^2}} \ dt \tag{对数正态累积分布函数} \] 其可靠度函数如下: \[ R(x) = 1 - \Phi(\frac{ln(x)-\mu}{\sigma}) \tag{对数正态分布可靠度函数} \] 其中,\(ln(x)\)​​ 和 \(x\)​​ 的均值和方差如下:

均值 方差
\(ln(x)\) \(\mu\) \(\sigma^2\)
\(x\) \(E(x)=exp(\mu + \frac{\sigma^2}{2})\) \(Var(x)=exp(2\mu + \sigma^2) · [exp(\sigma^2)-1]\)

对数正态分布的重要参数有以下几个:

  1. 工作时长 \(x\)
  2. 均值 \(\mu\)
  3. 标准差 \(\sigma\)

例题 2-4

假设人们观察到炮管寿命服从对数正态分布,\(\mu = 9,\sigma = 2\)。(注意,\(\mu\)\(\sigma\)\(ln(x)\) 的均值和标准差)求发射1000发炮弹时的可靠度。

情况一:已知对数正态分布可靠度表格

在已知表格时,直接代入公式,然后查表计算即可。 \[ R(1000)=1-\Phi(\frac{ln1000-9}{2}) = 1-\Phi(-1.046) = 1-0.15 = 0.85 \tag{例2-4 可靠度计算} \] 情况二:未知对数正态分布可靠度表格

在没有对数正态分布可靠度值表格可查询的情况下,是没有办法直接得出答案的。正常的思路如下:

  1. \(\mu=9, \sigma=2\) 代入密度公式 \(f(x)\)
  2. 然后在区间 \((0,1000]\)​ 内进行积分,通过累计分布函数 \(\Phi(1000)\) ,可以得到其特定区间内的累积分布值。
  3. 然后使用 1 减去该累积分布值即可获得该可靠度值 \(R(1000)\)
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图 例题的对数正态累积分布曲线和可靠度曲线

上面两个图片是经由C++函数计算并使用gnuplot进行绘制的,实际计算得到本例题的 \(\Phi(1000) = 0.14781, R(1000)= 0.85219\)

无聊着又稍微拟合了该产品在工作到 100,000 小时时的 可靠度曲线 和 工作到 10,000 小时时的 密度曲线

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图 工作到10万小时的炮管的可靠度曲线 和 工作到1万小时的炮管的密度曲线

指数分布

指数分布(Exponential Distribution) 是可靠性工程中最重要的一种分布。

当产品工作进入浴盆曲线的偶然故障期后,产品的故障率基本接近常数,其对应的故障分布函数就是指数分布。

优点

  • 参数估计简单容易,只有一个变量;
  • 在数学上非常容易处理;
  • 适用范围非常广;
  • 大量指数分布的独立变量之和还是指数分布,具有可加性。

性质

  • 指数分布的失效率 \(\lambda\) 等于 常数
  • 指数分布的 平均寿命 \(\theta\)失效率 \(\lambda\) 互为倒数,即 \(\theta = 1/\lambda\)
  • 指数分布“无记忆性”。(无记忆性 是指故障分布为指数分布的系统的失效率,在任何时刻都与系统已工作过的时间长短没有关系。)

指数分布的密度函数如下: \[ f(x) = \left\{ \displaylines{\lambda e^{-\lambda x}, x ≥ 0\\ 0,x < 0} \right. \tag{指数分布密度函数} \] 其累积失效分布函数为: \[ F(x) = 1 - e^{-\lambda x} \tag{指数累积分布函数} \] 其可靠度函数为: \[ R(x)=e^{-\lambda x} \tag{指数分布可靠度函数} \]

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图 故障率为100 和 故障率为0.01的指数分布密度函数曲线

上图为错误例子啊,因为故障率 \(\lambda = 100\)​​​ 时已经高得离谱,且故障率和平均工作时长是呈反比的,故障率为 100 的话,就是说大概只能工作 0.01 小时(大概 36 s),所以会看到该 密度曲线 在x轴没到0.1就飞降。把故障率修改为 0.01,即大概能工作100个小时,就可以看到较为 正常 的密度曲线了。

如果要求其可靠度曲线,则用 密度值 \(F(x)\) 除以 故障率 \(\lambda\)​ 即可,曲线如下:

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图 故障率为0.01的指数分布可靠度函数曲线

例题 2-5

机载火控系统的平均故障间隔时间是 100 小时,即 \(\theta = 100\)​ 小时,工作5小时不发生故障的概率是多少?

:由题目已知 \(\theta = 100\) , 即 \(\lambda = 0.01\) ,要求的是工作5小时不发生故障的概率,即求可靠度。

代入指数分布可靠度公式 \(R(x)=e^{-\lambda x}\) 即可求得 0.951229,即 95.12%

威布尔分布

威布尔分布(Weibull Distribution)是由 最弱环节模型 导出的,如链条的寿命就服从威布尔分布。

威布尔分布 是 通用分布 ,通过调整分布参数可以构成各种不同的分布,可以为各种不同类型的产品的寿命特性建立模型。

威布尔分布既包括 故障率 为常数的模型,也包括故障率随时间变化的 递减(早期故障)和 递增(损耗故障)模型,因而可以描述更为复杂的失效过程。许多产品的故障率是单调递增的,威布尔分布可以很好地描述产品疲劳、磨损等损耗故障。

两参数公式 三参数公式
概率密度函数 \(f(t)=\frac{m}{\eta}(\frac{t}{\eta})^{m-1}exp[-(\frac{t}{\eta})^m]\) \(f(t)=\frac{m}{\eta}(\frac{t-\gamma}{\eta})^{m-1}exp[-(\frac{t-\gamma}{\eta})^m]\)
累积分布函数 \(F(t)=1-exp[-(\frac{t}{\eta})^m]\) \(F(t)=1-exp[-(\frac{t-\gamma}{\eta})^m]\)
可靠度函数 \(R(t)=exp[-(\frac{t}{\eta})^m]\) \(R(t)=exp[-(\frac{t-\gamma}{\eta})^m]\)
故障率函数 \(\lambda(t)=\frac{m}{\eta}(\frac{t}{\eta})^{m-1}\) \(\lambda(t)=\frac{m}{\eta}(\frac{t-\gamma}{\eta})^{m-1}\)

威布尔分布的重要参数有以下几个:

  1. 随机变量 \(t\)\(t≥0\)(两参数),\(t≥\gamma\)​(三参数)
  2. 无量纲 形状参数 \(m,\ m>0\)​​
  3. 尺度参数 \(\eta,\ \eta>0\)​​
  4. 位置参数 \(\gamma, \ \gamma>0\)

除形状参数 \(m\) 以外,其他参数单位相同。

例题 2-6

人们发现某种特定的发射管的失效时间服从威布尔分布,其中 \(m=2, \eta = 1000\) 小时,试确定当任务时间为100小时时这种发射管的可靠度。

威布尔分布除了时间 \(t\) 以外,就只剩下三个参数,而题目中并无使用位置参数 \(\gamma\) ,因此直接代入可靠度公式进行求解即可: \[ R(x) =exp[-(\frac{t-\gamma}{\eta})^m] = e^{-(t/\eta)^m} \tag{例2-6 可靠度求解} \] 得到该产品在工作时长为100小时时的可靠度为: \[ R(100) = e^{-(100/1000)^2} = e^{-0.01} = 0.990049 ≈ 99\% \]

使用C++驱动GNUPLOT拟合该曲线至 \(t=3000\)​​ 时的 可靠度曲线累积曲线 如下:

image-20210903201848206image-20210903203111178
图 例题2-6 威布尔分布的 可靠度曲线 和 累积曲线

参数估计

可靠性工程中,数理统计 是进行数据整理和分析的基础,其基本内容是统计推断

随机变量的概率分布虽然能很好地描述随机分布,但是通常不能对研究对象的总体都进行观测和试验,只能从中随机地抽取一部分子样进行观察和试验,获得必要的数据,对齐进行分析处理,然后对总体的 分布类型参数 进行推断。

抽样相关概念

总体:也称为 母体,研究对象的全体。

个体:组成总体的每个基本单元。

样本:也称为 子样,在总体中随机抽取的部分个体。

样本值:在每次抽样后测得的具体数值(记为 \(x_1, x_2, x_3 ... x_n\))。

样本容量:样本所包含的个体数目(记为 \(n\))。

随机抽样:不掺入人为主观因素而具有随机性的抽样,即具有 代表性独立性 的抽样。

样本统计量:是指子样 \(x_1, x_2, ..., x_n\) 是从母体 \(X\) 中随机抽取出来后,进一步提炼和加工后的统计量,如 均值 \(\overline x\)方差 \(S^2\)极差 \(R\)​​

子样之所以很宝贵,是因为包含了母体的各种信息,尚未对子样进一步提炼和加工处理前,母体的各种信息仍分散在子样中,子样经过加工成一些统计量之后可以反映出一些信息,如:均值 反映了母体数学期望信息,方差 反映了母体方差信息,极差 粗略地反映了母体分散程度,但不能直接用于估计母体的方差。下方为统计量的一些概念。

统计量相关概念

均值:反映了母体数学期望的信息,表示为 \(\overline x =\frac{1}{n} \sum^n_{i=1}x_i\)​​

平均差:平均差是表示各个变量值之间差异程度的数值之一。指各个变量值同平均数的离差绝对值的算术平均数。

方差:方差是在概率论和统计方差衡量随机变量或一组数据时离散程度的度量。概率论中方差用来度量随机变量和其数学期望(即均值)之间的偏离程度。统计中的方差(样本方差)是每个样本值与全体样本值的平均数之差的平方值的平均数,表示为 \(S^2=\frac{1}{n-1}\sum ^n_{i=1}(x_i-\overline x)^2\)​ 。

标准差:是离均差平方的算术平均数的平方根,是方差的算术平方根,表示为 \(\sigma=\sqrt{S^2}\)

极差:极差又称范围误差或全距(Range),以 \(R\)​ 表示,是用来表示统计资料中的变异量数(measures of variation),其最大值与最小值之间的差距,即最大值减最小值后所得之数据。是指一组数据内的最大值和最小值之间的差异,表示为 \(R=max(x_1,x_2, ..., x_n)-min(x1, x2, ..., xn)\)

分布参数的点估计

如果 \(X\) 是一个具有概率分布 \(f(x)\) 的随机变量,样本容量为 \(n\),样本值为 \(x_1, x_2, ..., x_n\) ,则与其位置参数 \(\theta\) 相应的统计量 \(\hat{\theta }\) 的估计值。

此处,\(\hat{\theta}\) 是一个随机变量,因为它是样本数据的函数。在样本已经选好之后,就能得到一个确定的 \(\hat{\theta}\) 值,就是 \(\theta\) 的点估计。

点估计的解析法

在点估计的解析法中,有很多方法可以选择,如 矩法、最小二乘法、极大似然法、最好线性无偏估计、最好线性不变估计、简单线性无偏估计 和 不变估计。以上方法的特点如下:

  • 矩法只适用于完全样本;
  • 最好线性无偏估计 和 不变估计 已有国家标准《GB 2689.4-1981 寿命试验和加速寿命试验的最好线性无偏估计法(用于威布尔分布)》,但只适用于定数截尾情况,在一定样本量下有专用表格;
  • 极大似然法和最小二乘法适用于所有情况,极大似然法是精度最好的方法。
极大似然法

极大似然估计(Maximum Likelihood Estimate, MLE)是一种重要的估计方法,利用总体分布函数表达式及样本数据两种信息来建立似然函数。

特点:具有一致性、有效性 和 渐近无偏性 等优良性质。

缺点:求解方法最为复杂,需要用迭代法并借助计算机求解。

分布参数的区间估计

区间估计:在实际问题中,对于未知参数 \(\theta\) ,并不一定求出其点估计值 \(\hat{\theta}\) 为满足,仍希望求出其范围,并希望知道该范围包含未制参数 \(\theta\) 真值的置信概率的估计。

置信区间:表示计算估计的精确程度

置信度:是样品的试验结果在母体的概率分布参数(如均值或标准差)的某个区间内出现的概率,表示结果的可信性。

与置信度不同,可靠度 是指 样品在规定条件下和规定时间内正常工作的概率,反映的是产品本身的质量状况。

可靠性设计与分析

Gitee项目分享

适用于《可靠性工程师手册》的数学函数已经开源共享至Gitee,依托于 GNUPLOT 的图形绘制能力,可以轻松查看各种函数的曲线形状,十分方便。

Math-For-Reliability

在Gitee上的开源项目,开放给所有学习可靠性的人使用。

Gitee项目地址:https://gitee.com/tonyliew/math-for-reliability

DEBUG_RECORDS

20210902-01

在Linux上运行标准正态累积分布计算函数,其计算结果与标准正态分布表方向相反了。\(x = 0\)​​ 时的 \(\Phi(x)\)​​ 值本应为0.5,结果和 \(x = 5\)​​ 时的 \(\Phi(x)\)​​​​ 值相反。

image-20210902193634846

一番检查发现积分函数可能不适用

image-20210902194119411

经过“校准”一番,终于修改好了,不知道还会不会卡Bug。

image-20210902194157770

目前可以计算x值为正时的累积分布值,结果与标准正态分布表一致。

image-20210902194241093

重新解答完 2-3例题,发现知道了修改bug的方法,也只是补上了而已,哈哈哈哈。

image-20210902200537224

经过验证,结果正确。

image-20210902200910935

9月3日订正,为了生成标准正态累积分布的图形,发现带负号的 integral() 函数生成曲线时是 水平翻转 的。

image-20210903144047691image-20210903145950111
图 标准正态分布的 累积(故障)函数曲线 和 可靠度函数曲线 互为水平翻转

仔细思考后发现,标准正态函数下,可靠度曲线值 是和 累积分布函数曲线 值各点互补为 1 的,很容易将累积分布函数和可靠度函数互相搞混,因此其图像才会互为 水平翻转,修改后的标正累积分布函数代码如下:

image-20210903144813581

参考

  1. 《可靠性工程师手册(第二版)》中国人名大学出版社 李良巧主编
  2. 概率分布函数、概率密度函数

[TOC]

公式书写

Typora虽然是支持Markdown出名,但是也支持LaTex公式,需要在Typora的设置中打开相关选项

Typora设置

  1. 在Typora的偏好设置 下,选择 Markdown 选项,勾选 內联公式(例:$\LaTeX$) 选项和 自动添加序号 选项(此项可不选)

  2. 在 “当复制或导出为无格式的HTML时” 选择 “使用LaTeX代码

image-20210904111919668

书写方法

设置完毕后,即可进入公式书写。

在使用Typora的Markdown语法来编辑LaTex公式,本身LaTex就与Markdown语法存在一定的冲突,但在Pandoc(Typora使用的效果渲染器)的加持下,显示效果较好,但公式写得多了或者书写过程中可能仍会存在一定的显示延迟(解决办法是:暂时没有)。

以下全程默认使用Typora编辑器。

使用LaTex支持两种书写方式,行模式块模式 ,对应的通用叫法是 内联公式(行内公式,inline) 和 块公式(block)。这里需要一点HTML5的知识,就是该公式是可以被存放在文字中间的,还是独占一行的,存放在文字中间的叫 内联,如 \(f(x)=x^2\) ,独占一行的叫 ,如: \[ f(x)= \lambda e^{-\lambda x} \tag{样例公式} \]

内联公式

书写内联公式时,只需要在同一行文字内书写两个美元符号 $$ ,然后再两个美元符号中间书写内容即可。

尝试复制粘贴右侧文字到typora吧: $f(x)= x^2$

块公式

块公式需要在独占一行时书写 $$,然后按回车键,即可进入块编辑模式,编辑框如下:

image-20210904113516554

不管是内联公式还是快公式都是支持实时编辑和实时显示的。

基础符号

中文 样式 语法
上标 \(X^2\)
\(X^{log(10)}\)
X2
X
{log(10)}
下标 \(X_i\)
\(X_{a-b}\)
X_iX_{a-b}
积分符号 \(\int\) \int
无限 \(\infin\) \infin
平均值符号 \(\overline x\) \overline x
帽子符号 \(\hat{a}\) \hat{a}
\(\widehat{a}\) \widehat{a}
\(\acute{a}\) \acute{a}
\(\grave{a}\) \grave{a}
\(\bar{a}\) \bar{a}
\(\dot{a}\) \dot{a}
\(\ddot{a}\) \ddot{a}
短波浪号 \(\tilde{A_2}\) \tilde{A_2}
长波浪号 \(\widetilde{A_2}\) \widetilde{A_2}
上左箭头 \(\overleftarrow{N}\) \overleftarrow{N}
上右箭头 \(\overrightarrow{N}\) \overrightarrow{N}
下左箭头 \(\underleftarrow{N}\) \underleftarrow{N}
下右箭头 \(\underrightarrow{N}\) \underrightarrow{N}
限制下标 \(\mathop{a}\limits_{i=1}\) \mathop{a}\limits_{i=1}
分子式 \(\frac{1}{2}\) \frac{1}{2}
根号 \(\sqrt{2\pi}\) \sqrt{2\pi}
求和符号 \(\sum\) \sum
三角符号 \(\triangle\) \triangle

块公式样例

直接复制代码框中的内容到typora即可。

样例1

\[ f(x) = \left\{ \displaylines{\lambda e^{-\lambda x}, x ≥ 0\\ 0,x < 0} \right. \tag{指数分布密度函数} \]

1
2
3
4
5
$$
f(x) = \left\{
\displaylines{\lambda e^{-\lambda x}, x ≥ 0\\ 0,x < 0}
\right. \tag{指数分布密度函数}
$$

样例2

\[ F(x) = \frac{1}{\sigma \sqrt{2\pi}} \int^x_0 \frac{1}{t} e^{-{(lnt-\mu)^2}/{2\sigma^2}} \ dt \tag{对数正态累积分布函数} \]

1
2
3
$$
F(x) = \frac{1}{\sigma \sqrt{2\pi}} \int^x_0 \frac{1}{t} e^{-{(lnt-\mu)^2}/{2\sigma^2}} \ dt \tag{对数正态累积分布函数}
$$

样例3

\[ \varphi(x) = \frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}} \tag{正态密度函数} \]

1
2
3
$$
\varphi(x) = \frac{1}{\sigma\sqrt{2\pi}}e^{-{(x-\mu)^2}/{2\sigma^2}} \tag{正态密度函数}
$$

希腊字母

整理了常用的希腊字母及其Latex书写方式。

LaTex书写希腊字母时都是使用 转义字符 进行的,即 \ + 对应的英文

如果需要表现大写希腊字母,则对应英文的首字母大写,否则就用小写。

需要注意的是,epsilonphi 有额外的符号,所以会有额外的写法,如下方表格所示。

序号 大写 LATEX 小写 LATEX 英文 国际音标[推荐] 汉字注音
1 Α $Alpha$ α $alpha$ alpha /'ælfə/ 阿尔法
2 Β $Beta$ β $beta$ beta /'bi:tə/或/'beɪtə/ 贝塔/毕塔
3 Γ $Gamma$ γ $gamma$ gamma /'gæmə/ 伽玛/甘玛
4 Δ $Delta$ δ $delta$ delta /'deltə/ 德尔塔/岱欧塔
5 Ε $Epsilon$ ε $epsilon$ epsilon /'epsɪlɒn/ 艾普西龙
$varepsilon$
6 Ζ $Zeta$ ζ $zeta$ zeta /'zi:tə/ 泽塔
7 Η $Eta$ η $eta$ eta /'i:tə/ 伊塔/诶塔
8 Θ $Theta$ θ $theta$ theta /'θi:tə/ 西塔
9 Ι $Iota$ ι $iota$ iota /aɪ'əʊtə/ 埃欧塔
10 Κ $Kappa$ κ $kappa$ kappa /'kæpə/ 堪帕
11 $Lambda$ λ $lambda$ lambda /'læmdə/ 兰姆达
12 Μ $Mu$ μ $mu$ mu /mju:/ 谬/穆
13 Ν $Nu$ ν $nu$ nu /nju:/ 拗/奴
14 Ξ $Xi$ ξ $xi$ xi 希腊:/ksi/英美:/ˈzaɪ/或/ˈksaɪ/ 可西/赛
15 Ο $Omicron$ ο $omicron$ omicron /əuˈmaikrən/或/ˈɑmɪˌkrɑn/ 欧(阿~)米可荣
16 $Pi$ π $pi$ pi /paɪ/
17 Ρ $Rho$ ρ $rho$ rho /rəʊ/ 柔/若
18 $Sigma$ σ $sigma$ sigma /'sɪɡmə/ 西格玛
19 Τ $Tau$ τ $tau$ tau /tɔ:/或/taʊ/ 套/驼
20 Υ $Upsilon$ υ $upsilon$ upsilon /ˈipsilon/或/ˈʌpsɨlɒn/ 宇(阿~)普西龙
21 Φ $Phi$ φ $varphi$ phi /faɪ/ 弗爱/弗忆
$phi$
22 Χ $chi$ χ $chi$ chi /kaɪ/ 凯/柯义
23 Ψ $Psi$ ψ $psi$ psi /psaɪ/ 赛/普赛/普西
24 Ω $Omega$ ω $omega$ omega /'əʊmɪɡə/或/oʊ'meɡə/ 欧米伽/欧枚嘎

NTC及热敏电阻

NTCNegative Temperature Coefficient)是指 随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料

该类材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷,可制成具有负温度系数(NTC)的热敏电阻。其 电阻率材料常数 随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化。现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为代表的非氧化物系NTC热敏电阻材料。

1834年,科学家首次发现了硫化银有 负温度系数 的特性。

1930年,科学家发现氧化亚铜-氧化铜也具有负温度系数的性能,并将之成功地运用在航空仪器的温度补偿电路中。随后,由于晶体管技术的不断发展,热敏电阻器的研究取得重大进展。

1960年研制出了NTC热敏电阻器。NTC热敏电阻器广泛用于测温、控温、温度补偿等方面。

热敏电阻Thermistor)也可作为电子线路元件用于仪表线路温度补偿和温差电偶冷端温度补偿等。利用NTC热敏电阻的自热特性可实现自动增益控制,构成RC振荡器稳幅电路,延迟电路和保护电路。在自热温度远大于环境温度时阻值还与环境的散热条件有关,因此在流速计、流量计、气体分析仪、热导分析中常利用热敏电阻这一特性,制成专用的检测元件。

功率型NTC热敏电阻 多用于电源抑制浪涌。抑制浪涌用NTC热敏电阻器,是一种大功率的圆片式热敏电阻器,常用于有电容器、加热器和马达启动的电子电路中。 在电路电源接通瞬间,电路中会产生比正常工作时高出许多倍的浪涌电流,而NTC热敏电阻器的初始阻值较大,可以抑制电路中过大的电流,从而保护其电源电路及负载。当电路进入正常工作状态时,热敏电阻器由于通过电流而引起阻体温度上升,电阻值下降至很小,不会影响电路的正常工作。

B值特性

热敏电阻的 B值(B-value) 是NTC的属性之一,B值简单的说就是 材料系数Material Coefficient)。

相同温度区间不同的B值,说明材料可能不一样,因为NTC热敏电阻是负温度系数温度升高阻值成规律下降,B值代表曲线的弯曲程度或者说温度的敏感指数,单位温度变化的时候阻值增幅程度就代表B值。

通俗的说,即当温度降低,阻值曲线发生变化时会陡一点还是平一点。一般来说B值越大曲线越陡,当曲线越陡说明电阻值的变化就越大,相对来说就灵敏些;B值越小曲线越平,当曲线越平说明电阻值的变化就没那么大,相对来说阻值温度系数也就越小。

注意:B值是 经由人为计算出来的 逼近某款热敏电阻 在某个温度区间内的 温度阻值特性曲线的 常数/系数。

因为B值反映的是 两个温度点之间 的阻值变化规律,可以用以下公式来计算,以每摄氏度的百分比 %/°C​​ 为单位。 \[ B = {ln(R_{T1}) - ln(R_{T2})\over {1 \over {T_1}} -{ 1 \over T_2}} \]

$ R1 $ 或 $ RT1 $:温度T1的时候零功率电阻值

$ R2 $​ 或 $ RT2 $​​:温度T2的时候零功率电阻值

T1 = 273.15 k + (T1℃)

T2 = 273.15 k + (T2℃)

除非特别指出,B值通常是在[25, 50]这个温度范围中进行测量,由 T1 = 25℃(298.15K)T2 = 50℃(323.15K) 时的零功率电阻值计算而得。

根据式1,若已知B值的情况下,可以得出目标温度对应的阻值,如下式2: \[ R_{T2} = R_{T1} * e^{B * ({1 \over T_2} - {1 \over T_1})} \]

e = 2.718281828459045

温度系数

NTC热敏电阻的 温度系数 定义为 相对于温度变化的阻值的相对变化。计算NTC 热敏电阻温度系数 的最简单转换公式如下: \[ α = {-β \over T^2} \]

β:B常数

T:25摄氏度时的电阻值

最终结果之所以带上负号,因为是“负温度系数”啊,不带的话就是“正温度系数”。

阻值特性表

厂家在提供热敏电阻电气特性时都会给出B值,但并不是是就不需要阻值特性表了。

使用B值并能够推算出全部想要的温度阻值,因为B值所描述的是某个温度区间内的温度和阻值关系,而热敏电阻所呈现的是温度与阻值的非线性关系,也就是说这种关系没法通过B值和公式准确描述全部温度区间的阻值关系。否则一旦不同厂家的热敏电阻其B值相同,用公式来推导那岂不是阻值全是一样。

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某温度-阻值特性表示例

例如,[-25℃ ~ 50℃]内的B值已给出,意思就是说在25~50度这个区间用公式是完全没有问题的,超出这个范围,那么B值是不同的,所以不在这个范围用公式得出的阻值也是不对的。

如下图所示,为三款B值相同的热敏电阻,然而其阻值却不同。由此可知,B值只是一个针对每款热敏电阻的某区间参数,它只反应此热敏电阻的部分特性,并不是一个严谨的参数,在实际应用中,需要提供检测温度范围内的阻值表才是正确的做法。

热敏电阻应用详解

B值的范围一般在1800K ~ 5800k,其测温点范围通常为 [25, 50]、[25, 85]、 [0, 100] 或 [0, 50],部分厂家可以提供特殊NTC热敏电阻 B值的定制

案例

假设客户订购10,000 W热敏电阻,其热敏电阻的精度为±0.5°C。部件号为MF52A-103,B值为3950 K.25°C(298.15 K)。

根据 式3 求其 热敏电阻温度系数 α : \[ α = -{3950K \over (298.15K)^2} = - 4.44 \%/℃ \] 根据热敏电阻温度系数 α 和 其器件精度求得 25℃时的温度容差为: \[ Resistance \ Tolerance\ @25℃ = α *(±0.5℃) = -4.44\%/℃ * (±0.5℃) = ± 2.22\% \ @25℃ \]

电气特性

image-20210821095249164
  • 电阻值:R25 = 50kΩ ± 2% 。即在25摄氏度下,其阻值为50k欧姆,阻值允差为百分之二。
  • B常数: B25/50 = 3950K ± 2% 。即该NTC热敏电阻的材料系数B值,在25摄氏度至50摄氏度之间的B常数为3950K,允差为百分之二。

参考

  1. 热敏电阻应用与参数详解
  2. NTC

新版hexo安装之后没有标签页,解决方法大致三步:

  1. 需要自行在 /source/ 文件夹下添加一个 categoriestags 文件夹,然后往文件夹中分别写入一个 index.md 文件。

  2. 然后在对应的 index.md 中写入 YAML 信息。

  3. 在对应的主题配置文件,例如 _config.yml 中填写好配置。

新建目录和页面

可以通过两句语句来运行:

1
2
hexo new page categories
hexo new page tags

添加type属性

编辑 index.md,修改信息如下,日期随意:

1
2
3
4
5
---
title: 目录
type: categories
date: 2020-08-06 23:32:00
---

注意上面写的一个属性 type,千万不能写错。

1
2
3
4
5
---
title: 标签
type: tags
date: 2020-08-06 23:32:00
---

设置配置文件

如下图所示修改即可:

image-20210806235851123

最后重新清空、运行和预览即可。

1
2
3
hexo clean
hexo generate
hexo site

以下内容适用于嵌入式开发工程师。

裸机Debug

image-20210804172539069

裸机调试过程中出现问题时,可以从以下几个角度进行考虑,分别是 电气特性软件设置代码设置项目设置

电气特性

排查电气特性的方法,主要是使用 万用表逻辑分析仪示波器 等可以捕捉电信号的设备进行直接的观察。

例如使用万用表、示波器来检查电信号的电压、电流是否在正常工作范围。

软件设置

虽然软件设置和代码设置的命名方式相近,但是这里的软件设置更多强调的是系统级、寄存器级、驱动级的基础设置,而非算法级、代码级、逻辑级的更高一级设置。

软件设置中,直观可见的是所有可能需要检查的问题点,都是可以通过查阅技术参考手册中的相关寄存器设置来检查是否设置正确的,包括中断、内存、时钟、外设等各项涉及到寄存器级别的内容。

代码设置

代码设置,强调的是算法级、代码级 或 逻辑级 的软件编写或设置。

需要检查的更多是对应 芯片 及其 板载环境 、工作系统 之间的关系,例如代码里面有没有导致死循环、或者多线程之间的资源锁死、内存溢出等情况。

项目设置

调试文件

调试协议

寻址文件

但看调试文件,同样是f28004x系列芯片,通用的寻址文件就多达十几种。

image-20210804172803808

一般最高型号的芯片还有额外的 .cmd 文件,如:

image-20210804172915025

此时就需要仔细挑选对应的寻址文件,避免多个寻址文件载入导致寻址空间重名冲突。

案例

ADC中断未进入BUG

情况1——组中断未打开

ADC模块有检测到信号(下图ADCRESULT0) ,转换电容将电压转换成数值,但是没有触发中断,进而中断函数没有被执行。

image-20210810093022182

仔细检查对应的ADC中断标志寄存器,整理思路:SOC可以正常收到EPWM6的触发源进而正常地对电压进行转换,然后将数值存到对应寄存器中。也就是说,EOC也有正常工作,能够生成脉冲中断。

image-20210818100405137

对照着《TRM》中的说明文档再阅读一遍:

image-20210818100624266

接着再对应检查一下与中断相关的溢出标志寄存器,发现的确有中断溢出了。

image-20210818100710508

在ISR中断服务程序中写入一个全局调试变量,用于观察是否进入中断服务程序,可以知道其并未进入中断服务程序。

image-20210818101346665
image-20210818101314520

最后对比检查样例代码中的main函数对ePIE寄存器的控制,发现少了一行对PIE控制寄存器的操作,补上~

image-20210818101749256

成功进入中断:

image-20210818101822146

总结

  • 此处很重要的是要仔细研读《TRM》文件,将文档内的中断流程进行一一对照校验检查
  • 理解玩系统框图后,按照信号进入的顺序对涉及到的寄存器依次进行检查,逐个排查之后,再对其他可能会出现问题的地方进行DEBUG代码编写。
  • 如果没有参照手册,就得参照样例文件逐行检查代码

开启ADC C模块之后IDLE函数就不再执行

情况1——中断函数不要处理大量数据计算

IDLE函数是写在 main() 函数中,最后面的位置的,以 while(1) 语句进行包裹着的永远循环的语句。

main() 函数中,一般会对整个系统、外设、内存、中断等进行初始化和配置,一旦所有工作部件跑起来之后,需要CPU进行数据处理时,就会暂停进入IDLE函数,转而去处理更为紧急的事情,例如进行浮点数计算(如果没有开启对应的FPU的话),此时IDLE函数就会过很长一段时间(时间不定,依据实时处理情况而定)才执行一次。

例如下方所示,一旦开启了对应的中断处理函数中的电压、温度、阻值计算,需要处理器实时且大量的计算的话,就会造成CPU短时/长时荷载较高,无法进入IDLE函数,原本在IDLE函数中设置为1秒闪烁一次的LED灯,过了十几二十秒才关闭/打开。

一旦将其注释,LED灯的闪烁速度又得到了恢复。

也可以在中断向量表和处理程序处进行注释以关闭中断处理,也可以看到LED等闪烁正常。

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ADC读值/转换失败

情况1——ADC触发源更改

新增了功能:由主循环检测GPIO3上的引脚是否导通,导通则开启ePWM的时钟,否则不开启,开关检测代码如下:

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void sw1WrapFunc(void){
if(GpioDataRegs.GPADAT.bit.GPIO3 == HIGH_LEVEL){ //是否为高电平
if(CpuSysRegs.PCLKCR2.bit.EPWM1 == ON) return;
else {
EALLOW;
CpuSysRegs.PCLKCR2.bit.EPWM1 = ON; //高电平且未开启则开启
EDIS;
}
}
else if(GpioDataRegs.GPADAT.bit.GPIO3 == LOW_LEVEL){ //是否为低电平
if(CpuSysRegs.PCLKCR2.bit.EPWM1 == OFF) return;
else {
EALLOW;
CpuSysRegs.PCLKCR2.bit.EPWM1 = OFF; //低电平且已开启则关闭
EDIS;
}
}
}

在增加了新功能之后,发现ADC突然不工作了,每次ePWM一关闭,ADC也跟着不工作,一打开ePWM,ADC又开始工作了。

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重新整理思路,想起来ADC工作的配置中,唯一一项跟PWM相关的就是其触发源。

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修改其触发源为CPU1 Timer0,正常工作:

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情况2——主函数被测试用的死循环卡住

主循环中一定不能再套一个等待状态(或死循环)的语句,否则整个主循环将有可能永远被卡死。

写完SCI部分函数后,发现ADC温度转换的不工作了,但ADC的中断程序(中断程序对全局变量的写入成功)和中断溢出标志是可以正常处理的,同时写了一个Debug变量放在主循环下的ADC包装函数中,发现数据并未被处理,因此可以判断主程序被卡死。

解决方法是,将SCI通信发送和接收的功能写到中断程序中,让中断程序来处理。

ECAP外设没有正常工作

首先是注意到该外设对应的GPIO没有正常工作,查看 GpioDataRegs 下的 GPADAT 寄存器,发现GPIO10在其他外设都能正常工作的情况下,该引脚无法动弹(表现为:使用3.3V电源连接GPIO10,没有反映)。

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然后查看eCAP引脚源代码,初步推断可能是引脚方向设置出错,更改以下源代码中的最后一句以更改引脚信号导通方向。

源代码如下:

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void Init_eCAP_GPIO(void){
//配置输入XBAR10
InputXbarRegs.INPUT10SELECT = 0xA; // 将GPIO10(0xA)与输入XBAR 10进行连接

GpioCtrlRegs.GPAGMUX1.bit.GPIO10 = 0; //外设组多路配置
GpioCtrlRegs.GPAMUX1.bit.GPIO10 = 3; //外设多路配置
GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO10 = 1;
}

再次测试发现结果正常。

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修改后代码如下:

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void Init_eCAP_GPIO(void){
//配置输入XBAR10
EALLOW;
InputXbarRegs.INPUT10SELECT = 0xA; // 将GPIO10(0xA)与输入XBAR 10进行连接

GpioCtrlRegs.GPAGMUX1.bit.GPIO10 = 0; //外设组多路配置
GpioCtrlRegs.GPAMUX1.bit.GPIO10 = 3; //外设多路配置
GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO10 = GPIO_SIGNAL_INPUT; // INPUT 输入
GpioCtrlRegs.GPAPUD.bit.GPIO10 = GPIO_PULLUP_DISABLE;
GpioCtrlRegs.GPAQSEL1.bit.GPIO10 = GPIO_SYNCHRONIZE;
EDIS;
}

注意:因为GPIO9和GPIO10临近,默认情况下GPIO10还是会受到附近(结构上)其他GPIO电平的影响而拉高,此时即使设置了 GPIO_PULLUP_DISABLE 都没办法置低。同时,GPIO9也会因为GPIO10的电平拉低而拉低。

ECAP引脚配置

从GPIO部分的图8-1、 引脚部分的 表4-6 、X-BAR部分的 图9-1 和 eCAP部分的表19-1 四份内容可以看出,GPIO10 没办法被通过INPUT X-BAR 复用到ECAP上。

因为表4-6决定了,GPIO10不能复用到INPUT X-BAR 或 OUT-BAR,但可以复用为自己(GPIO10),只需要设置 GPAGMUX.bit.GPIO10 = 0x0; GPAMUX.bit.GPIO10 = 0x0; 即可。

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SCI引脚导致复位

SCI配置完毕后,与对应的GPIO引脚无法通信(即无高低电平变化),将逻辑分析仪插入对应的引脚,会导致芯片复位重启。

原GPIO引脚配置为:一个GPIO为拉高和异步,另一个为拉高和同步。

将两个GPIO修改为异步配置之后,并未出现复位情况。

SCI RX数据错误

使用RS485进行发送时,不仅接收会存在错误,发送也会存在错误。

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图 使用XCOM串口助手和GREE DATACONVERTER进行发送和CCS中数组值有异
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图 使用GREE DATACONVERTER接收数据时也存在错误-1

在数据量较低且手动点击鼠标进行发送时,仍然会有数据处理错误:

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图 使用GREE DATACONVERTER接收数据时也存在错误-2

同样的代码(中途未复位重启芯片)对比使用CH340芯片进行发送和接收:

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图 使用CH340进行发送和接收时数据无误

SCI未触发中断

系统Debug

Windows/Linux/Mac

分离式代码的联合编译

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上图为使用VS Code进行项目编译时报错的情况,在使用 MinGW 的g++ 作为编译器时,一开始使用 main.cpp 作为被编译的文件进行编译运行,成功可用。

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后期新增了 SerialPort.hSerialPort.cpp ,再次点击编译发现失败。说是查找不到 SerialPort 类下的函数定义相关的报错,并不是因为没有给 SerialPort::SerialPort() 等这些类里的函数进行定义,只是因为定义和声明并不在同一个 .h 文件里面。因为将类定义写在了 .h 文件中,而定义写在了另一个 .cpp 文件中,因此该编程方式称为 分离式代码。如果将其书写到同一个 .hpp 文件里,就称为 非分离式代码

采用的 分离式 的代码书写方法,造成了 g++ 编译器在只编译 main.cpp 的情况下会报错 函数未定义

解决办法

对分离式的 C++ 代码,需要联合多个 .cpp 文件进行编译,在Linux系统上使用命令行进行编译即可提现 如下:

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g++ main.cpp SerialPort.cpp -o main --std=c++17

上面就把 main.cppSerialPort.cpp 两个代码文件联合在一起进行编译,只生成一个 main 二进制可运行文件。

类似,只要在Windows上能用同一句编译命令实现多个 .cpp 文件的编译即可,但自己没有找到如何在 VS Code中进行该操作方法。另辟蹊径找到了用Terminal进行搞定,方法如下:

  1. D:\mingw64\bin 加入到 系统环境变量Path 变量下:
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  1. 打开 Terminal 进行跳转到工作目录,或者在工作目录按 shift 同时点击右键菜单里的 在Windows终端中打开 即可。
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  1. 尝试进行编译,发现就不报这个 undefined reference 的错了。

总结

分离式代码就需要联合多个 .cpp 文件进行编译,不能只编译一个 main.cpp,Windows Terminal 也可以直接操作 g++ (只要加了系统变量)进行多文件编译。

CANNOT CONVERT

以下为 VS Code中的报错:

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以下为 Terminal g++ 中的报错:

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cannot convert const wchar_t* to LPCSTR ,即是说,无法将const wchar_t* 类型转换为 LPCSTR 类型。

LPCSTR,即 long pointer const string , 是Win32和VC++所使用的一种字符串数据类型。定义如下:

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typedef _Null_terminated_ CONST CHAR *LPCSTR, *PCSTR; 

LPCSTR 代表了 const char * 类型,它是一个指向以 \0 结尾的 8 bit(单字节)ANSI字符数组 的常量指针。

const wchar_t * 类型是一个指向 \0 结尾的 16 bit(双字节)Unicode字符数组 的常量指针。

在VS2013编译器中直接输入的字符串常量(如 “abc” )默认是以 const char * 的格式(即ANSI编码)储存的,因此会导致类型不匹配的编译错误。

解决办法

以下办法查询自网络,未实践:

  1. Visual Studio: 右击“解决方案资源管理器”中的项目,“属性→配置属性→常规→项目默认值→字符集”,默认的选项是“使用多字节字符集”,将它改为“使用Unicode字符集”即可。这样,输入的字符串会默认以 const wchar_t * 格式储存。
  2. 使用 _T 宏,它在 <tchar.h> 中定义,它能够自动识别当前编译器字符串的储存格式并做出相应转换,避免这种类型的编译错误。具体使用方法为:将 “abc” 改为 _T("abc")

以下办法亲自实验可用:

  1. 删除该实参 L"xxxxxx" 前的 L 字符即可,在使用 MinGW 编译器的情况下,如果有该 L 字符,就会一直报错,就算将文本字符集改成 UTF-16 LE/BE ,虽然不会报该 L 字符的错了,但仍会出现其他问题,也是因为字符集搞的鬼。在Linux或Mac下就不会报该错误。

在产品设计时,倘若没有考虑应用环境对电源隔离的要求,产品到了应用时就会出现因设计方案的不当导致的系统不稳定,甚至出现高压损坏后级负载的情况,以及出现危害人身财产安全的情况。因此产品设计是否需要隔离至关重要。

定义

隔离电源:电源的输入回路和输出回路之间没有直接的电气连接,输入和输出之间是绝缘的高阻态,没有电流回路。

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图1 采用变压器的隔离电源

非隔离电源:输入和输出之间有直接的电流回路,例如,输入和输出之间是共地的。以隔离的反激电路和非隔离的BUCK电路为例。

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图2 非隔离电源

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优缺点对比

由上述概念可知,对于常用的电源拓扑而言,非隔离电源主要有:BuckBoostBuck-Boost等。而隔离电源主要有各种带隔离变压器的 反激正激半桥LLC 等拓扑。

结合常用的隔离与非隔离电源,我们从直观上就可得出它们的一些优缺点,两者的优缺点几乎是相反的。使用隔离或非隔离的电源,需了解实际项目对电源的需求是怎样的。

隔离和非隔离电源的主要差别在于 隔离模块的可靠性高,但成本高,效率差点。非隔离模块的结构很简单,成本低,效率高,安全性能差。因此,在如下几个场合,建议用隔离电源:

总结的表如表1所示,两者的优缺点几乎是相反的。

表1 隔离电源和非隔离电源的优缺点

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适用场景

一般场合使用对模块电源隔离电压要求不是很高,但是 更高的隔离电压可以保证模块电源具有更小的漏电流,更高的安全性和可靠性,并且 EMC特性 也更好一些,因此目前业界普遍的隔离电压水平为1500VDC以上。

了解了隔离与非隔离电源的优缺点,对于一些常用的嵌入式供电,其对应的场景及推荐隔离方案如下:

  1. 系统前级的电源,为提高抗干扰性能,保证可靠性,一般用隔离电源。
  2. 对安全有要求的场合,如需接市电的AC-DC,或医疗用的电源和白色家电,为保证人身的安全,必须用隔离电源,有些场合还必须用加强隔离的电源。
  3. 对于远程工业通信的供电,为有效降低地电势差和导线耦合干扰的影响,为每个通信节点单独供电一般都用隔离电源。
  4. 内部IC或部分电路供电,从性价比和体积出发,优先选用非隔离电源。
  5. 对于采用电池供电,对续航力要求严苛的场合,采用非隔离供电

隔离电源

  1. 涉及可能触电的场合,如从电网取电,转成低压直流的场合,需用隔离的AC-DC电源;

  2. 串行通信总线通过RS-232、RS-485和控制器局域网(CAN)等物理网络传送数据,这些相互连接的系统每个都配备有自己的电源,而且各系统之间往往间隔较远,因此,我们通常需要隔离电源进行电气隔离来确保系统的物理安全,且通过隔离 切断接地回路,来保护系统免受瞬态高电压冲击,同时减少信号失真;

  3. 对外的I/O端口,为保证系统的可靠运行,也建议对I/O端口做电源隔离。

非隔离电源

电路板内的IC或部分电路供电,从性价比和体积出发,优先选用非隔离的方案;如MPS的MP150/157/MP174系列buck型非隔离AC-DC,适合于1~5W应用;

对于工作电压低于36V,采用电池供电,对续航力要求严苛的场合,优先采用非隔离供电,如MPS的MP2451/MPQ2451。

隔离电源模块选型的注意事项

电源的隔离耐压在GB-4943国标中又叫抗电强度,这个GB-4943标准就是我们常说的信息类设备的安全标准,就是为了防止人员受到物理和电气伤害的国家标准,其中包括避免人受到电击伤害、物理伤害、爆炸等伤害。如下图为隔离电源结构图。

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图 隔离电源结构

作为模块电源的重要指标,标准中也规定了隔离耐压相关测试方法,简单的测试时一般采用等电位连接测试,连接示意图如下:

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图 隔离耐压测试示意

测试方法

  1. 将耐压计的电压设为规定的耐压值,电流设为规定的漏电流值,时间设为规定的测试时间值;

  2. 操作耐压计开始测试,开始加压,在规定的测试时间内,模块应无击穿,无飞弧现象。

  3. 注意在测试时焊接电源模块要选取合适的温度,避免反复焊接,损坏电源模块。

  4. 除此之外还要注意:

    1. 要注意是AC-DC还是DC-DC。
    2. 隔离电源模块的隔离耐压。例如隔离1000V DC 是否满足绝缘要求。
    3. 隔离电源模块是否有进行全面的可靠性测试。电源模块要经过性能测试、容差测试、瞬态条件测试、可靠性测试、EMC电磁兼容测试、高低温测试、极限测试、寿命测试、安规测试等。
    4. 隔离电源模块的生产工厂产线是否规范。电源模块生产线需要通过ISO9001, ISO14001,OHSAS18001等多项国际认证,如下图3所示。
    5. 隔离电源模块是否有应用在工业、汽车等恶劣环境。电源模块不仅仅大量应用与恶劣的工业环境,同时在新能源汽车的BMS管理系统中也游刃有余。
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图 ISO认证

总结

很多人认为非隔离电源不如隔离电源好,因为隔离电源贵,所以肯定贵的就好。前几年非隔离的稳定性确实没有隔离稳定,但随着研发技术的更新,现如今非隔离已经非常成熟,日渐稳定。说到安全性,其实现在非隔离电源也是很安全的,只要在结构稍微做下改动,对人体还是很安全的,同样的道理,非隔离电源也是可以过很多安规标准,例如:ULTUVSAACE等。

实际上非隔离电源损坏的根源就是电源AC线两端的浪涌电压所致,也可以这么说,雷击浪涌吧,这种电压是加在电压AC线两端的瞬间高压,有时高达三千伏,但时间很短,能量却极强,在打雷时会发生,或是在同一条AC线上,当一个大的负载断开瞬间,因为电流惯性的原因也会发生,这个电压进入电源,对于非隔离BUCK电路,会瞬间传达到输出,击坏恒流检测环,或是进一步击坏芯片,造成300v直通,而烧掉整条灯管。对于隔离反激电源,会击坏MOS,现象就是保管,芯片,MOS管全烧坏。现在LED驱动电源,在使用过程中坏的,80%以上都是这两种类似现象。而且,小型开关电源,就算是电源适配器,也经常损坏的是这个现象,均是浪涌电压所致,而在LED电源里,表现的更加普遍,这是因为LED的负载特性是特别的怕浪涌电压的。

如果按照一般的理论来讲,电子电路里,元器件越少,可靠性越高,相应越多的元件的电路板可靠性则越低。实际上非隔离电路的元件是比隔离电路要少的,为什么隔离电路可靠性高。其实说白了,不是什么可靠性,而是 非隔离电路对于浪涌太敏感,抑制能力差,隔离电路,因为能量是先进入变压器,然后从变压器再输送到LED负载的。BUCK电路是输入电源一部分直接加在了LED负载上,故前者对浪涌抑制和衰减能力强,所以浪涌来时损坏的机率小而已。实际上,非隔离电源的问题主要是在于浪涌问题,目前这个问题,因为只有LED灯具在大批量应用时,从概率上才能看出其解决的程度,所以很多人没有提出好的防治办法,更多的人则是不知道浪涌电压为何物。LED灯具坏了,很多人也找不到原因,最后只能一句,什么此电源不稳定就了结了,具体哪里不稳定,他不知道。

非隔离电源的优势一是效率,二是成本。

非隔离电源适合的场合:首先,是室内的灯具,这种室内用电环境较好,浪涌影响小。第二,使用的场合是高压小电流,低压大电流用非隔离没有意义,因为低压大电流非隔离的效率并不比隔离的高,成本也低不到多少去。第三,电压相对较稳定的环境中使用非隔离电源。当然,如果有办法解决掉抑制浪涌的问题,那么非隔离电源的应用范围将大大拓宽!

隔离电源因为浪涌的问题,损坏率也不可小觑,一般那种返修回来,击坏保险,芯片,MOS的第一个应该想到是浪涌问题。为了减少损坏率,在设计时就行要考虑到浪涌的因素进去,或是在使用时要告戒用户,尽量避免浪涌发生。(如室内灯具,打雷时暂时先关掉)

综合所述,使用隔离与非隔离很多时候都是因为浪涌这个问题,而浪涌问题和用电环境是息息相关的,所以很多时候使用隔离电源和非隔离电源不能一刀切,非隔离电源在节能,成本上都是很有优势的,所以要科学的选用非隔离还是隔离作为LED驱动电源。

[TOC]

IGBT和其驱动芯片的电气特性、引脚等参数的开发记录。

IGBT

IGBT芯片选型为 IKW50N65WR5。

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IGBT有三个极,发射极、集电极 和 栅极。

从其电气性能表格中,可以看出:

  • 集电极到发射极的击穿电压 最小 为650V
  • 在 VGE 完全导通(最高15V)时,集电极到发射极的饱和电压为1.8V以下,此时 IGBT 处于截止状态
  • 在 VGE 完全截止(0V)时,二极管的正向电压为1.9V以下。 此时,VCE 处于导通状态。
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从上方表中可以看出,在官方的《开关特性测试情况》下,VGE 的通电情况是 0V 或者 15V,故此推断给此IGBT的栅极电源输入信号应该是0V ~ 15V的方波。

因此,下图中IGBT器件的电路连接方式为:G 接0/15V方波信号,C 接最高650V电源,E 接地。

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DRIVER IC

选用芯片型号为 2EDL05I06PF。

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根据表1索引可得,芯片封装类型为DSO-8,目标驱动芯片是 IGBT,而非 MOSFET。

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再根据图3可得芯片引脚分布,根据表2可得所有引脚描述。

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结合表2和图3,再根据图1的典型应用电路,可以大致知道芯片的连接方法。

针脚 功能描述
VDD 芯片供电接口
GND 芯片接地接口
HIN 调制波形输入接口——高位
LIN 调制波形输入接口——低位
VB 高位正电
HO 控制高位IGBT栅极的信号输出接口
VS 高位负电
LO 控制低位IGBT栅极的信号输出接口

还是不太明白VB和VS的作用

表4给出了 VDD 和 VB 的供电范围:

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表6 给出了输入 VIN 的逻辑电平高低的电压范围,高电平为1.7 ~ 2.4 V, 低电平为0.7 ~ 1.1V。

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图2 提供了驱动芯片内部结构示意图

概括地说,IGBT栅极驱动器是一个放大器,其通过提高电压和电流来放大控制信号。

栅极驱动器的主要作用是对 IGBT的输入和反向输出电容放电。因此栅极驱动器(初其他影响因素外)与IGBT的开关性能密切相关,也与通态损耗与开关损耗有关。

绝大多数IGBT驱动器都是基于电压源的,与电流源驱动器相比,电压源的优势是其功率损耗在栅极电阻上,而非驱动中的电流源内。通过栅极电阻,可以调整最大的栅极电流。另一优势是,电压源相对简单的电路和控制方法。

驱动功能

IGBT驱动电路为系统提供的功能:

  1. 在IGBT开通过程中,栅极处的电容充电直到IGBT的开通阈值电压,反向传输电容(密勒电容)也如此。
  2. 在IGBT关断过程中,输入电容放电直到栅极电压达到关断阈值电压以下,反向传输电容(密勒电容)也如此。
  3. IGBT驱动可以具有保护IGBT免受损坏的功能,如 避免IGBT短路过电压保护

驱动供电

大部分情况下,IGBT驱动需要用隔离的供电电源。隔离电源可以看做是IGBT驱动的一部分。这些电源一般由 DC-DC变换器自举电路 构成。

同时,驱动会影响IGBT和续流二极管的动态特性,此外仍须确保IGBT输入电路电压(低压侧)和输出电路(高压侧)的电压隔离。低压侧与控制电路连接,高压侧与IGBT电路连接。

信号传输

阿博说的电路PCB布局要点:强弱隔离,数模隔离,信号沿地。

IGBT需要隔离的控制信号 包括: 开通信号关断信号反馈信号

这些控制信号的传输路径的隔离是通过 电隔离非电隔离 的方式形成的,这种电隔离被进一步划分为基于磁感应的、光学的隔离,极少情况下是电容性的隔离。需要通过 IGBT阻断电压应用电压的高低 来判断组个方式,在 高压应用 或 IGBT阻隔电压 UCES 高至 1.2kV 时,采用磁感应式 或 光学式信号传送器;在 低压 或 中压 应用中 或 低于 1.2kV 时,采用光电耦合驱动芯片。

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图 Infineon对电气隔离的定义
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光电耦合器

光电耦合器就是一种可以实现IGBT驱动的同时实现强弱电隔离的器件。由于光电耦合器的结构设计,集成光电耦合器的IGBT只能实现信息传递,不能为任何设备提供充足的能量支撑,需要一个隔离电源为驱动核心和光电耦合器的二次侧(高压侧)提供电能。

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另外有个相当重要的参数需要考虑——传输延迟时间,即 信号从光电耦合器IGBT输入到控制电流输出的时间。常规而言,传播延迟时间 tPLHtPHL 在几百个纳秒时间,但通常大于200ns。这种延时本身不会构成真正的问题,因为微控制器的控制算法可以考虑这一点,最大的问题在于 延时的公差(传输延迟时间不匹配),即最小和最大延时的不一致性。一旦该公差越大,上下桥臂的IGBT死区时间 tDT 就越大,加重了逆变器输出电流的失真影响。光电耦合器里信号延迟的误差因为操作使用会发生巨大变化,最终可导致高达1us的偏差。

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脉冲变压器

利用脉冲变压器为信号传输的IGBT,可以达到较低的延时水平,但与光电耦合器一样,只能传输信号,提供所需能量仍需由隔离电源提供。

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单片电平转换器

单片电平转换器,即 仅通过一个集成电路来实现 输入信号 和 输出信号 之间的隔离。需要注意的是,并不想光耦、变压器、脉冲等技术的完全绝缘的电气隔离,如果出现差错(如输出侧寄生电感产生的负电压瞬变),电路高压侧和地压侧将会直接连在一起(导致内部集成芯片的损坏)。将 SOI(绝缘硅)技术 应用于电平转换器可以解决这一缺陷,Infineon的产品大多都应用这项技术。这样的SOI装置不是由PN结反向偏置来提供内部电路隔离的,而是通过一层绝缘层(通常是二氧化硅 SiO2)来为不同的内部电路提供隔离,其反向电压耐压高达较高(因产品而不同)。

单片电平转换器主要应用于 UCES 低于 600V 的IGBT,通常一个驱动器有六路输出。但是在驱动 1.2kV 以上时,其驱动芯片和其他驱动方式相比成本劣势较少采用。

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图 带电平转换器的IGBT工作原理

产品概念

栅极驱动芯片 又可以称作 门极驱动芯片。按照门极驱动结构类型可以分为 单通道双通道四通道六通道,又进一步划分 高边地边高低边半桥全桥三相

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EiceDriver

下图为Infineon提供的栅极驱动芯片品类示意:

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参考

  1. 《IGBT模块:技术驱动和应用》
  2. 《MOSFET 栅极驱动电路》
  3. 《Infineon-Power_and_Sensing-ProductSelectionGuide-v00_01-EN》
  4. 《Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v01_01-CN》

本文章用于记录半导体(晶体管的工作原理等blablabla的知识)。

半导体的定义

半导体 是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 按照国际通行的半导体产品标准方式进行分类,半导体可以分为四类:集成电路(Integer Circuit),分立器件(Discrete Device),传感器(Sensor) 和 光电子器件(Optoelectronic Devices) ,统称为半导体元件。

分立器件按照功率转换进行分类,可以分为 功率器件非功率器件,其中,传感器光电器件 属于 分立器件下的 非功率器件,剩下的均是 功率器件,包含大部分晶体管,如 Zener Diode、BJT、IGFET、IGBT、Thyristor等。

注意:功率器件的概念很大,不仅在分立器件中存在功率半导体,在IC中也存在功率半导体的产品。

本征半导体

导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为 半导体

导体:如铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。

绝缘体:如惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。

半导体:如硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。

本征半导体:intrinsic semiconductor, 是 纯净(Purity)的 晶体结构(Crystal Texture)的 半导体;intrinsic 具有 “本质,固有” 之意。纯净,即无杂质之意;晶体结构,即稳定的结构。

P/N型半导体

纯净的硅晶体不带电荷,不显示出任何导电特性。

自由电子(Electron):由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子

空穴(Hole):自由电子的产生使共价键中留有一个空位置

复合:自由电子与空穴相碰同时消失

电荷:电子和空穴都是电荷,电子呈现负电荷,空穴呈现正电荷

载流子(Carrier):运载电荷的粒子称为载流子

导电性:物体呈现出的传导电流的能力

多数载流子:在纯净硅晶体中掺杂数量较多的电荷称为多数载流子。

少数载流子:在纯净硅晶体中掺杂数量较少的电荷称为少数载流子。

外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。热力学温度0K时不导电。

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图 N型半导体结构

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图 P型半导体结构

往纯净的硅晶体中掺杂一定浓度的 (P)或 (B)即可获得 使得硅晶半导体带上电子或空穴,即获得了 N型半导体P型半导体

杂质半导体:在本征的基础上掺杂其他元素。

P型半导体:掺杂了硼元素的硅晶体,空穴为多数载流子。

N型半导体:掺杂了磷元素的硅晶体。自由电子为多数载流子。

PN结

:即 Junction,在纯净硅晶体中掺杂两种不同电荷所形成的杂质接触截面。

扩散运动:物质 因浓度差而产生 的运动。气体、液体、固体均有之。扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。

漂移运动:因 电场作用 所产生的运动。

动态平衡:结处因空穴和电子一刻不停地复合和分离(官方:参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同)而形成 “无多数载流子” 的状态。

注意:扩散运动和漂移运动是相反的,

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图 扩散运动

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图 漂移运动

耗尽层:PN结处,因动态平衡而达到的“无多数载流子”的状态,该结的大小称为耗尽层。

如果此时让P区的多数载流子,即空穴尽量往N区移动,让N区的多数载流子,即自由电子尽量往P区移动,则两种电荷进行复合,形成更宽的耗尽层,此时因为耗尽层因为没有多数载流子而呈现不导电特性。

反之,让P区的多数载流子尽量往P区靠拢,让N区的多数载流子尽量往N区靠拢(注意,这里用的是“靠拢”,因为中间已经有耗尽层的形成,此时的“靠拢”是让耗尽层中已经复合消失的电子和空穴重新拆开,分别往各自原来的反向回归。),耗尽层的宽度会逐渐缩小,显现出导电特性。

正向:电源的正、负极分别对准半导体的P、N极进行连接。

反向:电源的正、负极分别对准半导体的N、P极进行连接。

正向导通:耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态。

反向截止:耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。

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图 正向导通

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图 反向截止

电容效应

势垒电容:PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。

扩散电容:PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。

结电容:等于 势垒电容 与 扩散电容 之和。但 结电容不是常量! 若PN结外加电压频率高到一定程度,则失去单向导电性!

二极管

The diode is the most used semiconductor device in electronics circuits. It is a two-terminal electrical check valve that allows the flow of current in one direction. They are mostly made up of silicon but germanium is also used. Usually, they are used for rectification. But there are different properties & characteristics of diodes which can be used for different application. These characteristics are modified to form different types of diodes.

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Types of Diodes and Their Applications

图 二极管的几种外形
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图 二极管的几种常见结构和符号

主要特征参数

  1. 最大整流电流(Maximum Rectification Current)
  2. 最高反向工作电压(Maximum Reverse Voltage)
  3. 反向电流(Reverse Current)
  4. 最高工作频率(Maximum Frequency)

自举二极管

晶体管

晶体管主要分为两种类型,BJT 和 FET。

工作区域:晶体管的导通状态,分为三种,分别是饱和、截止和放大,分别是指

BJT

BJT,即 Bioplar Junction Transistor,双极性结型晶体管。

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图 晶体管内部结构和符号示意

注意:晶体管的符号示意中,箭头的方向永远是从P指向N的,此时先不用管c、b、e是怎么接,确定好。

BJT结构特点:三极三区两PN结,发射区多子浓度高,基区多子浓度低且薄,集电区 面积大。

发射区:多数载流子较高的区域,自由电子流出的方向。

基区:多数载流子浓度较低且薄的区域。

集电区:面积大的区域,空穴流出的反向。

某极 是根导线,与BJT中的物理区不同。

发射结:发射区和基区之间的PN结。

集电结:集电区和基区之间的PN结。

注意:以上多数载流子可以是 空穴 或 自由电子,因此 BJT 可以有 NPN 和 PNP 两种类型的BJT。

联系到实际电路连接中,一般情况下,集电区 都是接 供电电源基区 都是接 控制电源发射区 都是接 负端/地。控制电源的电压会低于供电电源的电压,但会大于发射区的电压。

基区所连接的控制电源 为BJT提供 高电平或低电平 予以控制半导体的导通或截止,半导体所控制的负载的最大电压取决于发射极的供电电源电压 和 基区的控制电源电压

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图 BJT的几种常见外形

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图 BJT的结构和符号

工作原理

从下图可以看出,下图 BJT 为 NPN 型半导体,集电区接正电,发射区接地,基区接地。集电区与基区为反向截止状态,集电结的耗尽层增大,进一步阻止集电区和发射区之间的电流导通。

若此时向基区施加正向电流,基区电压高于发射区电压,发射结正偏导通,发射区多子(电子)往基区流动,。发射区的电子能够顺利往集电区流动,集电区的电流往发射区流动,从而导通 该BJT。

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图 BJT导通时的内部电荷流向示意

集电极电流是漂移形成的,发射极电流是扩散形成的。

发射区电流 IE 是由 扩散运动形成的。

基区电流 IB 是由 复合运动形成的。

集电区电流 IC 是由 漂移运动形成的。

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图 BJT输入特性曲线

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图 BJT输出特性曲线

工作区域

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图 BJT工作区域

FET

场效应晶体管 简称 场效应管。主要有 结型场效应管(JFET)和 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)两种类型。

JFET

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图 JFET的结构和符号

MOSFET

在MOS管工作原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。

下图a中,为增强型P衬底N沟道MOS,其栅极接 高电平 即导通。

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图 N沟道增强型MOS管结构示意图 及 增强型MOS管的符号

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图 N沟道耗尽型MOS管结构示意图 及 耗尽型MOS管的符号

NMOS工作原理

MOS管有4个端子,其符号也是四个端子组成的,以下用NMOS举例:

NMOS底部端子连接到基板/主体(Substrate/Body),称为基板、衬底端子 或 主体端子。上方各有两个N沟道,各自连接 源极端子漏极端子。两个端子中间添加了一层 薄绝缘体或电介质,在此层绝缘体上加了一个 栅极端子

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在NMOS内部构造中,源极端子 和 衬底端子 在内部连接,因此外露出来的端子只有三个。此时因 源极 和 衬底 的电位相同,阻止了任何电流从衬底流向源极。

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在MOS中,希望电子从漏极流向源极,在两个极连接一个电源,其电压称为 VDS ,此时加大电压,电流却不会增大,因为漏极沟道附近的耗尽层不断增大。

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栅极端子 和 主体端子 都有绝缘材料,当给栅极端子接电压较小的电压 VGS 时,两个绝缘材料形成电容效应,栅极处的多子不断吸引自由电子往栅极移动,暂时形成带自由电子较多的N区,从而导通了 源极 和 漏极,暂时形成了回路。因为 栅极处的N区是暂时连接 源极和漏极的通道,因此也被称为 N沟道。随着电压的增大或减小,沟道的大小也会随着变化。足以形成沟道的最低栅极电压被称为 阈值电压

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当不断增加栅极电压,漏极 和 衬底之间的耗尽层将因为 反向偏置 而不断增加。靠近漏极一侧的N沟道宽度将不断减小,直到某个电压点时,称为夹断效应。夹断下映实际上是说,沟道并未完全关闭,许多电子将保留通道,并不是停止了电流流动,而是出现了恒定的饱和电流,其电压被称为 饱和电压。

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表 FET的符号和特性
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FET and BJT

FET 的 栅极源极漏极 对应 BJT的 基极发射极集电极,其作用类似。

FET BJT
电流索取 用“栅-源”电压控制漏极电流,栅极基本不取电流
【输入电阻高的电路选用】
工作时基极总要索取一定的电流
【信号源若提供电流的选用】
导电情况 仅多子参与导电 多子少子均参与导电
稳定性 较好 较差
【因少子数目受温度、辐射等因素影响较大,温度稳定性和抗辐射的能力较差些。】
噪声系数
【低噪声放大器的输入级和信噪比要求高的电路选用】
源-漏互换 可以互换,互换后特性变化不大 互换后特性差异很大,特殊需求时互换
电压范围
工艺 简单 复杂
耗电

IGFET / MOS / MOSFET 是同一个东西,还有个词叫 MISFET(Metal-Insulated-Semiconductor Field Effect Transistor,金属绝缘半导体场效应管)

功率半导体

功率半导体 器件大致分为两类: 可控功率半导体不可控功率半导体可控功率半导体 如 Thyristor(晶闸管)、BJT(双极型晶体管)、功率MOSFET 和 IGBT 。不可控功率半导体 包括各种类型的功率二极管。

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图 常见功率半导体器件及其典型的功率范围、阻断电压和开关频率

IGBT

绝缘栅型双极晶体管,即 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由 BJT(双极型三极管))和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的 复合全控型电压驱动式功率半导体 器件, 兼有 MOSFET高输入阻抗GTR低导通压降 两方面的优点。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

GTR 具有饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大的优点;

MOSFET 具有驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小的优点。

IGBT模块 是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块 具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;

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图 IGBT内部结构和等效电路

因为IGBT的构造所致,最好还是不要让IGBT长期工作在放大区,会让其降低使用寿命,因开关开断时而进入放大区无可避免,仅工作在 饱和区 和 截止区 即可。

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三个英文符号分别表示为 栅极(Gate)、集电极(Collector)、发射极(Emitter)。

在漏极侧增加了高掺杂的P+层,称之为 集电极

  • 当栅极接近 负电压零电压 时,PN结 J2 阻断,发射极电压远低于集电极电压,IGBT 关断 (正向阻断);但是此刻 结J1 和 结J3 正偏导通

  • 当栅极接到 正电压(通常是15V)时,氧化层下方的 P区 建立 反型导电沟道,为 N-区 提供导电通路,电子从发射极到 N-区 降低了 N-区 的电位,PN结 J1导通,IGBT导通。

如果栅极电压不够大,形成的反型层较弱,流入漂移区的电子数相对较少,IGBT压降增大,即进入特性曲线的 线性放大区。工作在线性放大区会加剧损耗或损坏 IGBT,因而除了开关瞬间,应避免进入线性放大区。

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图 IGBT的输出特性

IGBT 的关断电流分为 MOSFET关断阶段BJT关断阶段。第一个阶段时,关断反型沟道,电流迅速下降;第二个阶段时,会产生持续时间较长的拖尾电流。

拖尾电流使得 IGBT 的关断损耗 高于 MOSFET 的关断损耗。

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图 MOSFET和IGBT的主要开通和关断特性比较

截止电压:

饱和电压:

击穿电压:

阈值电压:描述的是 栅极发射极 之间刚好足以打开导流通道的电压。

漏电流:泄露电流,leakage current。主要是指栅极和发射极的在反向偏置状态的泄露电流,此处特性与二极管相近。

分类

IGBT可以分为 穿通型(PT)IGBT、非穿通型(NPT)IGBT、场终止型(FS)IGBT、沟槽栅(Trench)IGBT、载流子存储沟槽栅双极晶体管(CSTBT)、注入增强晶体管(IEGT)、沟槽栅终止(Trench-FS)IGBT、逆导型(RC)IGBT。

平面栅极结构 的IGBT设计,形成了JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。

沟槽型栅极结构 的IGBT设计,在平面型的基础上保持载流子浓度平均分布或逐步增加载流子浓度,进一步降低通态损耗,而不影响拖尾电流和关断损耗。

载流子越少越有助于降低关断损耗。

TYPE 内部构造(原理) 温度系数 优点 缺点
PT-IGBT
穿通型IGBT
image-20210713112637086 正温度系数
负温度系数
NPT-IGBT
非穿通型IGBT
image-20210713112654444 正温度系数 1. 有利于IGBT并联 1. 随着温度上升,损耗增大
FS-IGBT
场终止型IGBT
image-20210713112712678 正温度系数
Trench-IGBT
沟槽栅IGBT
image-20210713112728045 1. 更宽的导电沟道会增加IGBT短路时的电流
CSTBT
载流子存储沟槽双极晶体管
image-20210713122039519 1. 降低了IGBT的饱和压降
IEGT
注入增强栅晶体管
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Trench-FS IGBT
沟槽栅终止IGBT
image-20210713112933604 1. 保持鲁棒性,通态损耗和开关损耗降低
2. 功率密度提升,即电流密度增大
3. 单位IGBT所需硅材料降低
RC-IGBT
逆导型IGBT
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术语总结

FET: Filed Effect Transistor,即 场效应管,是 利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的一种半导体器件,故此得名。由于其仅靠半导体中的多数载流子导电,因此也称为 单极型晶体管

JFET: Junction Filed Effect Transistor,即 结型场效应管,有 P沟道 和 N沟道 两种类型。

IGFET: Insulated Gate Field Effect Transistor,即 绝缘栅型场效应管。因栅极与源极、栅极与漏极之间均采用二氧化硅绝缘层进行阻隔而得名如此。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。具有 高输入阻抗、高开关频率 和 低驱动功率 的优点。

MOS: Metal-Oxide-Semiconductor,即 金属氧化物半导体。同上。

MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,即 金属氧化物半导体场效应管。同上。

BJT: Bipolar Junction Transistor, 即 双极结型晶体管。因带有两种不同极性电荷的载流子参与导电,故得名如此,或称 半导体三极管,简称 双极晶体管晶体管

UJT: Unijunction Transistor,即 单结晶体管。因有两个基极,也称为 双基极晶体管

GTR: Giant Transistor,即 巨型晶体管。BJT的一种,亦称为 Power BJT(电力晶体管)。具有自关断、无须辅助关断电路、 高电流密度、低保和电压 和 耐高压 的优点。

IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor,即 绝缘栅双极型晶体管

Thyristor:即 半导体闸流管晶闸管,又称为 硅可控元件(Silicon Controlled Rectifier), 由按顺序排列的PNPN四层半导体组成。最外层的P区和N区构成了正负极,中间的P区构成了控制极(栅极),可以控制导通。具有耐压高、电流大、耐浪涌能力强 且 价格便宜 等优点。

GTO: Gate Turn-Off Thyristor,即 可关断晶闸管。是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。具有 普通晶闸管 和 GTR的优点,是应用于高压大容量场合中的一种大功率开关器件。

PT: Power Transistor, 即 功率晶体管 / 功率管

IPM: Intelligent Power Module,即 智能功率模块。具有GTR 和 MOSFET 的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间,也大大增强了系统的可靠性。

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图 IPM器件示意

参考

  1. 《模拟电子技术基础》高等教育出版社,童师白
  2. 《IGBT模块:技术、驱动和应用》机械工业出版社,Andreas Volke and Michael Hornkamp
  3. 逆变器的分类方式有哪些
  4. IGBT
  5. 场效应管
  6. 晶体二极管
  7. 晶体管
  8. Difference Between Diode & Transistor
  9. 半导体分类知识大全
  10. IGBT—功率半导体皇冠上的明珠
  11. Types of Diodes and Their Applications - 24 Types of Diodes

嵌入式芯片(如MCU、DSP等)内部包含众多的模块化外设,如 串口控制模块,SPI模块,I2C模块,A/D模块,PWM模块,CAN模块,EEPROM,比较器模块,等等,它们都集成在芯片内部,有相对应的内部控制寄存器,可通过指令直接控制。

按照控制信号类别对外设进行分类,可以分为 模拟外设(Analog Peripherals)、控制外设(Control Peripherals) 和 通信外设(Communication Peripherals)。

模拟外设 的常见外设如 模数转换器(Analog-to-Digital Convertor, ADC)、可编程增益放大器(Programmable Gain Amplifier, PGA)、温度传感器(Temperature Sensor)、缓冲数模转换器(Buffered Digital-to-Analog Convertor, DAC)和 比较器(Comparator Subsystem)。

控制外设 的常见设备如 捕获器(Capture, CAP)、脉冲幅频调制器(Pulse Width Modulator, PWM)、正交编码器脉冲( Quadrature Encoder Pulse, QEP)和 西格玛-德尔塔滤波器模块 (Sigma-Delta Filter Module, SDFM)。

通信外设 的常见设备如 (Controller Area Network, CAN)、双线通信(Inter-Integrated Circuit, I2C)、电源管理总线接口(Power Management Bus Interface, PMBus)、串行通信接口(Serial Communications Interface, SCI)、串行外设接口(Serial Peripheral Interface, SPI)、局域互联网络(Local Interconnect Network, LIN) 和 高速串行接口(Fast Serial Interface, FSI)。

CLA

为了解决DSP在对实时控制要求比较高的场合中CPU计算速度不足以及计算负担过重,TI很早之前就已经推出了具有CLA功能的DSP。

CLA,即Control Law Accelerator,是一个32位浮点数计算加速器,可以理解为一个专门为浮点数运算而优化的CPU。其可以 独立 于CPU进行运算操作,并 可以同时访问 到ePWM,eCAP,eQEP,ADC result以及Comparator 寄存器。相当于两个CPU并行工作,从而减少了主CPU的运算负担。

也就是说 CLA可以同时访问所有模拟外设的寄存器。

可以将CLA看作是辅助CPU进行计算的浮点运算协处理器(co-processor)。

一个典型的应用场景如下:

img闭环控制电路

CPU通过ADC采集主电路的电压、电流信息,计算得到控制逻辑(包括频率以及占空比等),从而控制电路工作。因此如果CPU的计算负担很大,比如说需要计算傅里叶分解,比如说需要计算反三角函数等,那么就造成了极大的控制时延。而CLA应运而生,专门为计算浮点数进行优化,且不会造成CPU阻塞于计算而对异常情况无法响应的情况。

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图 28069和28027对比

上图则对比了具有CLA功能的28069和不具有CLA功能的28027的控制延时。对于没有CLA功能的28027,其CPU在ADC采样结束之后触发SOC中断,随后进行闭环计算,最后再结束一个周期的控制,开始下一个周期。而具有CLA功能的28069则可以在采样结束之后立即自主触发CLA计算(由于没有菊花链,所以触发迅速),并且由于CLA针对浮点数计算进行优化,因此计算时间更短。更重要的是,CPU不需要进行任何操作,因此CPU可以有空闲完成其他任务,比如异常检测,比如故障上报等等

简单来说,采用CLA的系统具有更小的计算时延CPU负担更小,因此其系统更加迅速稳定。

CLB

The C2000 configurable logic block (CLB) is a collection of configurable blocks that interconnect through software to implement custom digital logic functions.

The CLB subsystem contains a number of identical tiles.

GPIO

GPIO,即General-purpose input/output,通用型之输入输出(接口)。功能类似8051的P0—P3,其接脚可以供使用者由程控自由使用,PIN脚依现实考量可作为通用输入(GPI)或通用输出(GPO)或通用输入与输出(GPIO),如当clk generator, chip select等。 既然一个引脚可以用于输入、输出或其他特殊功能,那么一定有寄存器用来选择这些功能。对于输入,一定可以通过读取某个寄存器来确定引脚电位的高低;对于输出,一定可以通过写入某个寄存器来让这个引脚输出高电位或者低电位;对于其他特殊功能,则有另外的寄存器来控制它们。

CMPSS

CMPSS,即Comparator Subsystem,比较器子系统。由模拟比较器和支持电路组成,可用于峰值电流模式控制、开关电源、功率因数校正、电压跳闸监测等应用。

每个CMPSS包含两个比较器、两个12位DAC参考、两个数字滤波器和一个斜坡发生器。比较器在每个模块中表示为“H”或“L”,其中“H”和“L”分别表示高和低。每个比较器产生一个数字输出,指示正输入端的电压是否大于负输入端的电压。比较器的正输入由外部引脚或PGA驱动,负输入可由外部引脚或可编程参考12位DAC驱动。每个比较器输出通过一个可编程的数字滤波器,可以消除假跳闸信号。如果不需要滤波,也可以使用未滤波的输出。一个可选的斜坡发生器电路可用于控制高比较器的12位参考DAC值。

CAN

A controller area network(CAN) is ideally suited to the many high-level industrial protocols embracing CAN and ISO-11898:2003 as their physical layer.

Introduction

  • The CAN bus was developed by BOSCH as a multi-master, message broadcast system that specifies a maximum signaling rate of 1 megabit per second(bps).

  • CAN is an International Standardization Organization (ISO) defined serial communications bus originally developed for the automotive industry to replace the complex wiring harness with a two-wire bus.

  • CAN does not send large blocks of data point-to-point from node A to Node B under the supervision of the central bus master.

  • In a CAN network, many short messages like temperature or RPM are broadcast to the entire network, which provides for data consistency in every node of the system. 保证系统中各节点的数据一致性。

  • CAN's specification calls for high immunity to electrical interface and the ability to self-diagnose and repair data errors.

以下为ISO 11898 对 CAN 标准架构层级解释框图:

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The CAN communication protocol is a carrier-sense, multiple-access protocol with collision detection and arbitration on message priority (CSMA / CD+AMP). CSMA means that each node on a bus must wait for a prescribed period of inactivity before attempting to send a message. CD+AMP means that collisions are resolved through a bit-wise arbitration, based on a preprogrammed priority of each message in the identifier field of a message. The higher priority identifier always wins bus access.

CAN 包含 standard CAN 和 Extended CAN。

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术语

菊花链:在电子电气工程中菊花链代表一种配线方案,例如设备A和设备B用电缆相连,设备B再用电缆和设备C相连,设备C用电缆和设备D相连,在这种连接方法中不会形成网状的拓扑结构,只有相邻的设备之间才能直接通信,例如在上例中设备A是不能和设备C直接通信的,它们必须通过设备B来中转,这种方法同样不会形成环路。因为最后一个设备不会连向第一个设备。这种连线方法能够用来传输电力,数字信号和模拟信号。

参考

  1. CLA介绍及使用指南
  2. GPIO
  3. TMS320F280049C 学习笔记16 比较器子系统(CMPSS)
  4. 《Introduction to the Controller Area Network(CAN)》